• В корзине пусто!

New
  • Твердотельный накопитель SSD M.2 SAMSUNG 500Gb 980 PRO, MZ-V8P500BW V-NAND 3-bit MLC, Elpis, PCIe Gen 4.0

Твердотельный накопитель SSD M.2 SAMSUNG 500Gb 980 PRO, MZ-V8P500BW V-NAND 3-bit MLC, Elpis, PCIe Gen 4.0

0 отзывов Написать отзыв
В избранное В сравнение
8 500.00 р.
Поделиться в соц. сетях

Код товара: SAMSUNG 500Gb 980 PRO

Доступность: Нет в наличии

Описание

Общие параметры
Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Samsung 980 PRO
Код производителя
[MZ-V8P500BW]
Год релиза
2020
Основные характеристики
Объем накопителя 
500 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс 
PCI-E 4.0 x4
Ключ M.2 разъема 
M
NVMe 
есть
Конфигурация накопителя
Тип чипов памяти
NAND
Количество бит на ячейку 
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти 
3D NAND
DRAM буфер
есть
Объем DRAM буфера 
512 МБ
Показатели скорости
Максимальная скорость последовательной записи 
5000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения 
6900 Мбайт/сек
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 
1000000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 
800000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 
60000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 
22000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW) 
300 ТБ
DWPD
0.33
Максимальная перегрузка (ударостойкость) 
1500 G (0.5 мс)
Дополнительная информация
Аппаратное шифрование данных 
есть
Энергопотребление 
7.4 Вт
Радиатор в комплекте
нет
Габариты
Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
9 г

Характеристики

Конфигуратор ПК
SSD SAMSUNG

Отзывы 0

Твердотельный накопитель SSD M.2 SAMSUNG 500Gb 980 PRO, MZ-V8P500BW V-NAND 3-bit MLC, Elpis, PCIe Gen 4.0

Написать отзыв

    Плохо           Хорошо
Твердотельный накопитель SSD M.2 SAMSUNG 500Gb 980 PRO, MZ-V8P500BW V-NAND 3-bit MLC, Elpis, PCIe Gen 4.0
Общие параметры
Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Samsung 980 PRO
Код производителя
[MZ-V8P500BW]
Год релиза
2020
Основные характеристики
Объем накопителя 
500 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс 
PCI-E 4.0 x4
Ключ M.2 разъема 
M
NVMe 
есть
Конфигурация накопителя
Тип чипов памяти
NAND
Количество бит на ячейку 
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти 
3D NAND
DRAM буфер
есть
Объем DRAM буфера 
512 МБ
Показатели скорости
Максимальная скорость последовательной записи 
5000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения 
6900 Мбайт/сек
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 
1000000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 
800000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 
60000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 
22000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW) 
300 ТБ
DWPD
0.33
Максимальная перегрузка (ударостойкость) 
1500 G (0.5 мс)
Дополнительная информация
Аппаратное шифрование данных 
есть
Энергопотребление 
7.4 Вт
Радиатор в комплекте
нет
Габариты
Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
9 г